小間距LED大屏的創(chuàng)新，正在全面轉型向mini-led技術。尤其是P0.X時代，mini-led成為市場標配。但是，這一產業(yè)升級卻難住了市場占比7成以上的中小廠商。因為，mini-led技術面對的“巨量轉移”工藝，大多數(shù)LED大屏終端企業(yè)都是零儲備。

       這樣的背景下，小間距LED大屏行業(yè)怎樣快速突破mini-led帶來的P0.X時代的考驗呢？必然要依靠真正的“創(chuàng)新技術”。這就是國星光電的IMD技術：近日，國星光電表示，即將推出MiniLED IMD-M09標準版、預計產品成本壓縮到每像素0.015元，且該公司已經實現(xiàn)1000KK/月的產能，預計2021年Q1將有明顯提升。這必然將驅動小間距LED顯示，迅速進入P0.9產品的普及時代。

       擋住大多數(shù)屏企的小間距LED升級“三大瓶頸”

       巨量轉移技術，要求終端企業(yè)從封裝的裂片做起、直接延長了屏幕企業(yè)的產業(yè)鏈！”行業(yè)人士指出，這看似提升了小間距LED屏終端企業(yè)的“價值空間”，但是對于大多數(shù)企業(yè)而言，這意味著高昂的嶄新技術投入和創(chuàng)新門檻。且此前熟練的“表貼”技術工藝將全部被扔進垃圾桶。

       所以，能不能突破巨量轉移，就成了卡住mini-led時代，眾多小間距LED屏企業(yè)升級大門的第一大瓶頸。國星光電IMD技術體系，采用多合一燈珠體制，將涉及mini-led晶體顆粒處理的技術環(huán)節(jié)提前封裝，讓終端屏幕企業(yè)，依然可以沿用表貼工藝，實現(xiàn)mini-led時代P0.X級別產品的量產，為行業(yè)快速升級、導入嶄新技術，提供了最快的路線選擇。

      另一方面，高端小間距LED應用，日益對顯示效果、特備是近距離顯示效果提出苛刻需求，并對產品可靠性、防護性要求更高。這是COB封裝技術能夠流行的關鍵所在。但是，按照傳統(tǒng)路線圖，COB封裝小間距LED屏技術，也要從“晶圓裂片”開始。這嚴重限制了中小小間距LED屏企業(yè)推出COB系列產品的能力。

      國星光電IMD技術可以看成是亞單元級別的COB模塊，在產品顯示性能效果、安全防護水平上，達到COB級別產品的要求；并在墨色一致性上效果更具優(yōu)勢。IMD體制與表貼傳統(tǒng)工藝結合，為大多數(shù)中小LED屏企業(yè)提供了“擁有COB類同效果水平”的高等級小間距LED屏“低成本集成”產品，提供了更佳技術路線支撐。

      同時，對于P0.X級別的小間距LED大屏的普及，“價格成本”始終是最大的瓶頸。價格過高、用戶有限，mini-led的新技術，就不能最大程度創(chuàng)生更高的社會價值。現(xiàn)在，國星光電最新的MiniLED IMD-M09標準版，0.015元每像素的價格，必然驅動P0.9產品的進一步普及。

      更甚者，國星光電指出，國星MiniLED IMD-M09標準版未來價格可會比1010更低。即采用mini-led技術的P0.9間距產品，未來價格會相當于或者低于傳統(tǒng)P1.0產品，且擁有類似COB產品的效果優(yōu)勢。這充分體現(xiàn)了IMD技術體制，在推動產品普及、降低成本、控制產業(yè)工藝流程難度、減少新增工藝流程成本、提升產品體驗性方面的巨大競爭優(yōu)勢。

      擁有COB的性能、采用表貼這種傳統(tǒng)集成工藝、產品具有成本端的下降優(yōu)勢，這三大特點，恰對應了mini-led技術對于大多數(shù)小間距LED屏企業(yè)而言的三大瓶頸：這也就是為何說IMD技術，可能是當前技術條件下，最容易推動P0.X產品進入規(guī)模化市場的創(chuàng)新的原因所在。

      IMD為何這么牛？抓住了小間距LED應用的精髓

      誠然，mini-led和micro-led時代，巨量轉移是繞不過去的關鍵技術，是最核心的、具有技術世代標志性的工藝技術。

      這就像，P10左右的LED屏普遍用直插技術、但是間距指標縮小到P5左右，乃至以下表貼技術就占有了優(yōu)勢、未來mini-led和micro-led時代的標志，就是巨量轉移技術：但是，巨量轉移技術“對應的間距等級到底應該是多少”，目前尚沒有統(tǒng)一結論。

      畢竟，以micro-led為代表，像素間距可以是十微米級別的，即P0.0X級別的產品。這些產品應用于近眼顯示、手機或者智能手表屏幕；同時，也可以有P0.1-p0.3級別的產品，這些產品主要應用于電腦顯示器，或者常規(guī)尺寸的TV顯示。而目前，mini-led技術提出的P0.X級別的小間距LED顯示屏，則主要應用于百英寸以上大尺寸TV、以及更大尺寸，數(shù)十上百平米顯示面積的工程顯示。

      由此可見，mini-led和micro-led技術，對應于從1英寸到千英寸、從10微米間距到1000微米間距一個“技術參數(shù)范圍寬廣”、“應用場景截然不同”的巨大市場——而在這么大的市場范圍內，均采用“巨量轉移”一種工藝技術，則有些忽略不同技術參數(shù)檔次產品的“差異性”！

      即以百英寸和工程性拼接大屏應用為主，P0.4到P0.9產品間距的mini-led產品，采用巨量轉移技術時，mini-led晶體顆粒在50-200微米。這樣小的LED晶體顆粒，裂片之后，轉移過程中的位移較大。更大的移動空間對于轉移過程的實現(xiàn)提出新的挑戰(zhàn)： micro-led應用于智能手表等小屏幕等超高PPI的巨量轉移技術，則在這一點上挑戰(zhàn)更小。

      IMD技術的核心則是利用“有限規(guī)模的轉移、制作四合一，甚至十二合一的集成封裝模塊中間體”，將巨量轉移一次性的成品過程，變成兩步走，大幅度降低了技術難度，并以極高的比例保留了傳統(tǒng)LED屏顯示行業(yè)的“工藝流程”。顯然，IMD并不適合于micro-led面對的超高ppi產品，但是對于在傳統(tǒng)表貼到巨量轉移工藝所適應的間距之間的P0.X間距LED屏，IMD卻是一個“不錯的、適應性更強”的方案。

      超大間距LED屏采用直插工藝、傳統(tǒng)小間距LED屏采用表貼工藝、大尺寸mini-led顯示屏，即P0.X產品采用IMD技術、micro-led標準下的超精細PPI標準的LED顯示系統(tǒng)采用巨量轉移技術……這種因產品自身技術需求和規(guī)格差異，采用截然不同的技術工藝方式方法的邏輯，符合LED顯示產業(yè)的一般發(fā)展規(guī)律。

      某種意義上，最尖端的技術不等于市場的選擇。市場更需要“最合適”的技術。國星光電IMD技術，在P0.X市場的適應力超群。2021年隨著MiniLED IMD-M09標準版量產、擴產和降價，必然驅動P0.9級別產品真正走向普及。這一產品，也是目前P0.X級別小間距LED顯示產品全球率先向規(guī)模量產沖刺的技術。

      從實驗性試產，到規(guī)模化、標準化產品量產，這一步的突破具有非常大的市場意義！”行業(yè)專家指出，國星光電領先發(fā)布MiniLED IMD-M09標準版必然打開小間距LED顯示的一個新時代，也將成為2021年行業(yè)爭鋒的關鍵競爭點之一。

      MiniLED IMD-M09標準版可以應用于80英寸級別2K顯示產品，或者160英寸級別4K顯示產品，基本滿足會議、教育系統(tǒng)的顯示設備應用需求；并銜接高端小間距LED拼接工程的應用需求，部分滿足高端安防監(jiān)控工程的應用需求；亦可以應用于電影院線屏幕的超高分辨率高亮度顯示系統(tǒng)。這些應用領域都是小間距LED顯示目前主要的應用市場，或正在大力開拓的應用市場。

      綜上所述，IMD技術在解決大多數(shù)小間距LED屏企業(yè)，在P0.X時代mini-led標準下的“量產、普及化”問題上優(yōu)勢明顯。IMD-M09標準版的問世，將是推動P0.9產品，成為超微間距率先普及產品的關鍵里程碑。小間距LED顯示，嶄新應用場景與應用世代的大門也將就此打開了！

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